消*措施:延長保溫時間,使擴散充分完成。采用分區(qū)間升溫,在釬料固一液相區(qū)間快速升溫,減少釬料低熔點組元的揮發(fā)。降低真空壓強,防止加熱時釬料或母材再度氧化。檢查設備的壓升率。增加堿液濃度或溫度,或延長堿蝕時間,徹*清*氧化膜。降低堿液濃度或溫度(一般控制在60°C),或縮短堿蝕時間,把釬料或母材分開堿洗,防止堿洗時改變釬料的組分。半導體冷板增加釬劑用量,改善釬料的潤濕性。
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消*措施:延長保溫時間,使擴散充分完成。采用分區(qū)間升溫,在釬料固一液相區(qū)間快速升溫,減少釬料低熔點組元的揮發(fā)。降低真空壓強,防止加熱時釬料或母材再度氧化。檢查設備的壓升率。增加堿液濃度或溫度,或延長堿蝕時間,徹*清*氧化膜。降低堿液濃度或溫度(一般控制在60°C),或縮短堿蝕時間,把釬料或母材分開堿洗,防止堿洗時改變釬料的組分。半導體冷板增加釬劑用量,改善釬料的潤濕性。